Meta AR/VR专利探索更好地控制Micro LED晶片衬底弯曲度
衬底弯曲度可以通过管理单个外延层中的平面内应变来控制
（映维网Nweon 2024年07月20日）对于半导体LED，不同衬底弯曲度会产生性能的影响。通常，我们希望减少外延生长的半导体层中的应变，例如压缩或拉伸应变，因为应变可能增加缺陷密度，从而增加有源区中的非辐射复合。应变同时可以引起其他效应，如压电极化和自发极化引起的极化状态。
在名为“Strain management of iii-p micro-led epitaxy towards higher efficiency and low bow”的专利申请中，Meta表示Micro LED晶片的衬底弯曲度可以通过管理单个外延层中的平面内应变来控制。
在一个实施例中，特定外延层可以生长为具有压缩应变，而一个或多个其他外延层可以生长为具有拉伸应变。具有拉伸应变的外延层的厚度可以足够高，使得拉伸应变可以对抗其他外延层的压缩应变，从而减小包括外延层的Micro LED晶片的净应变和弯曲。由于可以实现低衬底弯曲度，Micro LED晶片与背板的结合可以更容易、更准确和更可靠。
在一个实施例中，用于应变平衡和衬底弯曲度减小的拉伸应变p型半导体层可以致使在高操作电流密度和升高温度下的Micro LED效率提高。
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